CSD18533Q5A 与 BSC067N06LS3 G 区别
| 型号 | CSD18533Q5A | BSC067N06LS3 G | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-CSD18533Q5A | A-BSC067N06LS3 G | ||||||||
| 制造商 | TI | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON | 系列:OptiMOS™ | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | - | 5.15mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6.7mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 26ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 69W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 67nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 38S | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 37ns | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-VSONP(5x6) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 50A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||||||||
| 长度 | - | 5.9mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 7ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns | ||||||||
| 高度 | - | 1.27mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,966 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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CSD18533Q5A | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-VSONP(5x6) |
￥3.619
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2,966 | 当前型号 | ||||||||||
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BSC076N06NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 50A 7.6mΩ@50A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-5 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSC067N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 50A 6.7mΩ 20V 69W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 55 | 对比 | ||||||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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